品化科技自2016年1月起，於苗栗縣竹南鎮竹南科學園區設立駐點
2019-07-26
品化科技自2016年1月起，於苗栗縣竹南鎮竹南科學園區設立駐點
品化科技自2016年1月起，於苗栗縣竹南鎮竹南科學園區設立駐點，並期待各位客戶及伙伴們持續支持與愛護。同樣對於，拓展更多產品線服務並於2016年8月起網站正式改版上線。
2020年5月5日 星期二
蝕刻液產品新增: Cr鉻蝕刻液 & ITO蝕刻液
蝕刻液產品新增: Cr鉻蝕刻液 & ITO蝕刻液
2019-07-26
蝕刻液產品新增: Cr鉻蝕刻液 & ITO蝕刻液
品化科技提供高品質的蝕刻液。應用於半導體製程、高階 IC 封裝、光電產業、矽晶圓薄化/粗化/光化/應力去除等製程。 品化科技對應各種製程應用的需求，可提供不同蝕刻率或客製化的產品。
適用於 wet bench 與 spin tool 機台
先進包裝材料新增: 晶圓墊片隔離紙
先進包裝材料新增: 晶圓墊片隔離紙
2019-07-26
先進包裝材料新增: 晶圓墊片隔離紙
選用聚乙烯為原料，經防靜電、無塵處理，能起到晶片隔離的作用，具有防靜電、無塵的特徵。該產品還有PH值中性、防水、化學惰性、不掉屑、強韌耐用的特點，是晶片製造、封裝產業晶片隔離的首選。
WindSim 10.0 正式發布
WindSim 10.0 正式發布
2020-04-16
WindSim 10.0 正式發布
WindSim 10 includes many new features, added functionality, and valuable extensions requested by our users. Here are some of the highlights.
#量測
#風力
新品: Backside Cover Film 晶圓背面保護膜
新品: Backside Cover Film 晶圓背面保護膜
2020-04-16
新品: Backside Cover Film 晶圓背面保護膜
與晶化科技共同開發
適用領域:
SiP, WLP, WLCSP, Flipchip, Stacked die, Fan-out, Fan-in 等先進封裝領域
此產品可客製化，詳情請聯絡我們
歡迎致電或來信索取公司產品型錄
什麼是IC封測?
什麼是IC封測?
2020-04-20
什麼是IC封測?
https://www.applichem.com.tw/news-detail-2593222.html
封裝和測試廠的定義:
封裝（Package）：將晶圓廠生產的晶片、塑膠、陶瓷、金屬外殼等包裝起來，保護晶片在運作時不受外界的水氣、灰塵、靜電等影響，封裝的材質的選用必須考量成本與散熱的效果。
測試（Test）：將製作完成的晶片進行測試，檢驗晶片是否可以正常工作並確定每片晶圓的可靠度與良率，通常封裝前要先測試，將不良品去除，只封裝好的晶片，封裝後還要再測試，以確定封裝過程是否發生問題。
#晶化科技
#晶圓保護膜
#先進封裝材料
晶圓隔離為什麼選擇杜邦Tyvek無塵紙?
晶圓隔離為什麼選擇杜邦Tyvek無塵紙?
2020-04-25
晶圓隔離為什麼選擇杜邦Tyvek無塵紙?
杜邦Tyvek®泰維克（特衛強®）是由紡粘法聚乙烯經過高溫高壓製成，是由極細的比人頭髮要細7倍）聚乙烯纖維製成。將這些纖維在熱和壓力的作用下粘合在起，製成種既不是布，也不是塑膠薄膜卻具有這三種優點的紙/布型無紡布。首先我們一起瞭解它有七大特性
1. 防靜電
2. 強韌
3. 防水
4. 防大多數化學品腐蝕
5. 阻菌（細菌無法穿透）
6. 能阻斷大部分紫外線
7. 表面非常光滑
Tyvek（特衛強）系列產品結實而耐用，具有強韌及抗撕裂之特性。特衛強®Tyvek®是經經過連續加工過程而形成的，在這 過程中，薄達0.5-10微米的各向同性纖維（plexifilaments）先經過紡，然後熱壓而粘結在 起，無需粘合劑和填充劑。特衛強®Tyvek®有強度高，重量輕，平滑，不起毛，防水，抗化學品，耐磨損，耐老化等性質。這些獨特的性質結合起來，使特衛強®Tyvek®成為 種適合多種應用的理想材料，包括印刷製品加工。
杜邦特衛強是由高密度聚乙烯細絲通過特殊工藝加工而成， 所有用於無塵方面的原材料都經過了去處靜電和防靜電塗層處理， 其本身只需要經過淨化處理就能應用於無塵等級較高的環境 , 而且材質本身在淨化後不會造成二次污染。該材料是電子行業, 晶片製造業, 半導體產業, 光電產業, 太陽能電池等產品包裝的優良材料，應用如: 晶圓隔離紙, 晶圓隔離膜...等。
品化科技販售黑色晶圓墊片隔離紙，選用聚乙烯為原料，經防靜電、無塵處理，能起到晶片隔離的作用，具有防靜電、無塵的特徵。該產品還有PH值中性、防水、化學惰性、不掉屑、強韌耐用的特點，是晶片製造、封裝產業晶片隔離的首選。
#晶圓隔離紙
#晶圓隔離膜
#晶圓無塵隔離紙
#杜邦紙
#杜邦Tyvek
#品化科技
光電產業中關鍵材料-銦
光電產業中關鍵材料-銦
2020-04-20
光電產業中關鍵材料-銦
稀有金屬大量運用於高科技產業，如銦在TFT-LCD產業，鎵在半導體、鋰在鋰電池、鎢在機械製品等，範圍之廣可說是各種產業重要且關鍵的材料。但稀有金屬蘊藏量大多集中在中國、南非、俄羅斯等政治較不安定或獨裁性較高的國家，所以在蘊藏量稀少及高度集中在某些國家的情形下，供應風險也相對的提高。我國兆元產業之一的TFT-LCD產業不斷蓬勃發展，但關鍵材料及零組件卻嚴重倚賴日本或其他國家，從而引發出我國經濟命脈受制於外人的疑慮，因此本文將探討銦金屬在光電產業的應用及重要性。
銦是國內兆元產業TFT-LCD 中供應風險很高的稀有金屬材料
以下將說明TFT-LCD Array 製程中所需要用到的金屬材料及其重要性。
1. TFT-LCD Array 製程中需要稀有金屬銦、鉬、鈦、鉭、鉻
在TFT-LCD Array 製程中， Array 基板製程是反覆使用PEP 製程(Photo Engraving Process)在玻璃基板上形成各種金屬膜、絕緣膜、半導體層及不純物層的製程，製程中所使用到的金屬化合物靶材大多被製成電極，如Pixel Electrode、Gate Electrode及S/D Electrode，所使用的靶材材料有基本金屬鋁、銅等，稀有金屬銦、鉬、鈦、鉭、鉻等。
以下將說明TFT-LCD Array 製程中所需要用到的金屬材料及其重要性。
1. TFT-LCD Array 製程中需要稀有金屬銦、鉬、鈦、鉭、鉻
在TFT-LCD Array 製程中， Array 基板製程是反覆使用PEP 製程(Photo Engraving Process)在玻璃基板上形成各種金屬膜、絕緣膜、半導體層及不純物層的製程，製程中所使用到的金屬化合物靶材大多被製成電極，如Pixel Electrode、Gate Electrode及S/D Electrode，所使用的靶材材料有基本金屬鋁、銅等，稀有金屬銦、鉬、鈦、鉭、鉻等。
3. TFT-LCD產業中銦是難以被替代的材料
銦氧化物因其半導體特性及良好的電氣傳導性等特殊性質，而被用於液晶電視、電漿電視等薄型電視，作為液晶面板的透明電極，隨著液晶電視大型化與生產量的攀升，透明電極的需求也急速增加。依銦的最終應用區分，薄膜(Thin Film)佔八成，主要以平面顯示器相關應用的ITO 靶材為主，也有一部份用在半導體應用領域。
銦氧化物因其半導體特性及良好的電氣傳導性等特殊性質，而被用於液晶電視、電漿電視等薄型電視，作為液晶面板的透明電極，隨著液晶電視大型化與生產量的攀升，透明電極的需求也急速增加。依銦的最終應用區分，薄膜(Thin Film)佔八成，主要以平面顯示器相關應用的ITO 靶材為主，也有一部份用在半導體應用領域。
依產業的需求特性來說， TFT-LCD 所需要的是同時具有低電阻率及高光穿透率的二個特性，缺一不可。因為ITO 在低電阻率及高光穿透率的特性上發揮得淋漓盡致，所以目前在TFT-LCD 的用途上，替代材料的發展仍無法取代ITO 在TFT-LCD 的用途。但是銦在半導體及其他的用途上，並沒有同時需要低電阻率及高光穿透率二個特性上的需求，僅是在半導體材料特性上的需求，替代材料的取代是較可行的。
資料來源: 材料世界網
#光電產業
#金屬蝕刻液
#蝕刻液
#品化科技
阻燃劑的原理
阻燃劑的原理
2020-04-20
阻燃劑的原理
簡介:
阻燃劑（FR）又稱難燃劑、耐火劑或防火劑，是能夠提高易燃或可燃物的難燃性、自熄性或消煙性的一種助劑,是重要的精細化工產品和合成材料的主要助劑之一。在航太航空、化學建材、交通運輸、室內裝飾等領域中得到了廣泛的應用。
作用機制:
FR的阻燃作用就是在聚合物材料的燃燒過程中能阻止或抑制其物理或化學變化的速率。這些作用體現在以下幾個方面：
（1）吸熱效應 其作用是使高聚物材料的溫度上升發生困難，如水合氧化鋁受熱後能脫水產生吸熱效應，進而抑制了材料溫度的上升，從而產生阻燃效果。
（2）覆蓋效應 阻燃劑在高溫作用下熔融或分解生成覆蓋層，從而抑制高聚物分解產生的可燃性氣體的逸出，也阻礙了氧氣的供給，起到阻燃效果。硼酸及磷酸酯類就是按此機制發揮作用。
（3）稀釋效應 阻燃劑在燃燒過程中產生大量不可燃氣體，如CO2，NH3，HCl和H2O等，從而稀釋了可燃氣體和氧氣的濃度，實現阻燃。
（4）抑制效應 高聚物的燃燒主要是自由基連鎖反應。有些物質能捕捉燃燒反應的活性中間體HO?，H?，?O?，HOO?等，抑制自由基連鎖反應，使燃燒速率降低，直至火焰熄滅。常用的溴類、氯類等有機鹵素化合物就有這種抑制效應。
#阻燃劑
#無鹵阻燃劑
#防火劑
#耐火劑
了解氮化鋁的性質和用途
了解氮化鋁的性質和用途
2020-04-20
了解氮化鋁的性質和用途
氮化鋁是共價鍵化合物，屬於六方晶系，纖鋅礦型的晶體結構，呈白色或灰白色。
物理性質:
密度：3.26
熔點：>2200 ℃(lit.)
性狀：powder
溶解性：MAY DECOMPOSE
化學性質:
室溫強度高，且強度隨溫度的升高下降較慢。導熱性好，熱膨脹係數小，是良好的耐熱衝擊材料。具有優異的抗熱震性。AlN的導熱率是Al2O3的2～3倍，熱壓時強度比Al2O3還高。氮化鋁對Al和其他熔融金屬、砷化鎵等具有良好的耐蝕性，尤其對熔融Al液具有極好的耐侵蝕性，還具有優良的電絕緣性和介電性質。
但氮化鋁的高溫抗氧化性差，在大氣中易吸潮、水解，和濕空氣、水或含水液體接觸產生熱和氮並迅速分解。在2516℃分解，熱硬度很高，即使在分解溫度前也不軟化變形。氮化鋁和水在室溫下也能緩慢地進行反應，而被水解。和乾燥氧氣在800℃以上進行反應。
產品用途:
1.氮化鋁陶瓷是一種高技術新型陶瓷。氮化鋁基板具有極高的熱導率，無毒、耐腐蝕、耐高溫，熱化學穩定性好等特點,是大規模集成電路，半導體模塊電路和大功率器件的理想封裝材料、散熱材料、電路元件及互連線承載體。
也是提高高分子材料熱導率和力學性能的最佳添加料，氮化鋁陶瓷還可用作熔煉有色金屬和半導體材料砷化鎵的坩堝、熱電偶的保護管、高溫絕緣件、微波介電材料、耐高溫、耐腐蝕結構陶瓷及透明氮化鋁微波陶瓷製品，用作高導熱陶瓷生產原料及樹脂填料等。氮化鋁是電絕緣體，介電性能良好。砷化鎵表面的氮化鋁塗層，能保護它在退火時免受離子的注入。
2.用作高導熱陶瓷生產原料、AlN陶瓷基片原料、樹脂填料等。
#光電產業
#氮化鋁基板
#氮化鋁
#ALN
#日本品牌
風資源評估的秘訣
風資源評估的秘訣
2020-04-20
風資源評估的秘訣
「風電」
當前，風力發電已經成為新能源行業必不可少的組成部分，但也存在發電量受風況限制，難以準確限定發電量等局限性，並且隨著風電裝機規模的逐年增加，風電場建設年限的增長，機組大型化（高塔筒、大葉片、大容量）等情況的出現，風電的不確定性更加凸顯。因此，風資源評估對於風電行業的意義也變得愈發重要。
風資源評估，首先是對風力發電的能量源風的特徵了解。根據風力發電的獨特性，風況的好壞，將直接影響風力發電場建成後的實際發電量。
改變傳統開發模式
針對目前風電場建設難度、收益、風險等問題，特變電工改變以往宏觀選址與微觀選址脫節的開發設計模式，在最初的開發階段即將項目評估延伸至微觀選址的深度，提高前期資源評估的準確性，降低開發風險，為後期設計鋪平道路，縮短設計周期。
宏觀選址—多平台、大數據
想要確定一塊合適的風電場建設區域，首先要開展對該區域的宏觀選址，通過安裝測風塔或從當地氣象局收集當地儘可能長時間、連續的氣象報告，了解該地區平均風速、風向的大致情況，得到該地區的風能資源分布圖，風能玫瑰圖等。當然，宏觀選址並不僅僅局限於對於單一風情況的了解，還包括風電場預建設地點當地的政策情況、周圍的交通情況、地形地貌、氣溫地質、周圍居民的情況以及宗教和生態保護的要求等。
藉助多平台、大數據精確的分析，為客戶選取最佳風電場位置、最適宜的風電場布局，可最大限度的保障風電項目方案精準度。同時採用中、微度模擬的精細化的方式，將傳統3~5km的中尺度數據解析度提升至1km以內，快速甄別可開發區域；引入雷射雷達測風技術，提高中尺度數據準確率；通過降尺度計算，將數據解析度提升至30m以內，實現精確的風機布置與資源計算。
微觀選址—更科學、更合理
微觀選址相對於宏觀選址來講，實際是一個「由面及點」的選址過程，由整個風電場的情況了解細化到每一台機組放置位置的情況，以及對機組之間可能產生的影響（湍流影響等）。
在微觀選址方面，特變電工採用精細化測風塔選址方式，基於微觀選址的位置複選，根據風機布置結果，確定合理的測風塔位置，使得測風塔同時可以滿足後期短期、超短期功率預測。
而基於CFD的位置初選，突破以往傳統的測風塔選址模式，讓測風塔選址更加科學，設備配置更加合理。
最大收益率導向
在每個機位均進行評估，採用最合理機型、基礎形式，摒棄以往的單點發電量最大化思想，而是追尋單點經濟收益率最大化。
#風能
#風資源測量
#風場評估
#風能分析
#Windsim
了解建材用塗膜劑用途
了解建材用塗膜劑用途
2020-04-21
了解建材用塗膜劑用途
據統計建設公司每年花費許多金額在修理或更換損壞的建築材料。例如玻璃帷幕、內外部玻璃、內部瓷磚、大理石地板...等，同時在施工過程中，建築材料的表面也容易受到損壞，此時安排重新更換替代的材料可能導致建設工程交付延遲等嚴重影響。
為了保護這些脆弱的表面，品化科技有有一個簡單的解決方案-建材用可剝離塗膜劑，建材用可剝離塗膜劑可提供保護，當液體材料乾燥後形成的一種保護膜，防止被保護表面受到破壞。
建材用可剝離塗膜劑防止表面刮傷，防止表面被泥土，水泥，油漆汙染。
建材用可剝離塗膜劑是水性/溶劑型塗料可簡單的用手剝離，剝離後的表面感覺像新的一樣。
溶劑型建材用可剝離塗膜劑
水性建材用可剝離塗膜劑
#建材用可剝離塗膜劑
#塗膜劑
#建材保護
#台灣製造
雷射技術在半導體晶圓中的應用
雷射技術在半導體晶圓中的應用
2020-04-23
雷射技術在半導體晶圓中的應用
隨著雷射技術的不斷發展以及雷射技術深入半導體行業，雷射已經在半導體領域多道工序取得成功應用。廣為熟知的雷射打標，使得精細的半導體晶片標識不 再是個難題。雷射切割半導體晶圓，一改傳統接觸式刀輪切割弊端，解決了諸如刀輪切割易崩邊、切割慢、易破壞表面結構等諸多問題。
在集成電路工藝線寬越來越 小的情況下，LOW-K材料(K為介電常數，即低介電常數材料)越來越多的應用於集成IC中，由於LOW-K層傳統工藝很難加工，於是引入了雷射開槽工 藝，利用雷射將切割道中LOW-K層去除。目前12寸矽晶圓已廣泛應用於半導體集成電路領域，而且晶圓越做越薄，將薄晶圓鍵合於承載晶圓片上流片後通過拆 鍵和將兩部分分開，雷射拆鍵以其高效率無耗材等諸多優勢成為關注熱點。另外雷射還在鑽孔、劃線、退火等工序取得不錯的應用成果。
近年來光電產業的快速發展，高集成度和高性能的半導體晶圓需求不斷增長，矽、碳化矽、藍寶石、玻璃以及磷化銦等材料作為襯底材料被廣泛應用於半導體 晶圓領域。隨著晶圓集成度大幅提高，晶圓趨向於輕薄化，傳統的很多加工方式已經不再適用，於是在部分工序引入了雷射技術。雷射加工具有諸多獨特的優勢：
1. 非接觸式加工：雷射的加工只有雷射光束與加工件發生接觸，沒有刀削力作用於切割件，避免對加工材料表面造成損傷。
2. 加工精度高：脈衝雷射可以做到瞬時功率極高、能量密度極高而平均功率很低，可瞬間完成加工且熱影響區域極小，確保高精密加工。
3. 加工效率高，經濟效益好：雷射加工效率往往是機械加工效果的數倍且無耗材無污染。
品化科技 雷射切割保護液
#晶圓切割
#雷射切割
#雷射切割保護液
#半導體
#光電產業
3D 封裝技術突破，促使代工封測廠積極投入研發
3D 封裝技術突破，促使代工封測廠積極投入研發
2020-04-24
3D 封裝技術突破，促使代工封測廠積極投入研發
針對 HPC 晶片封裝技術，台積電已在 2019 年 6 月日本 VLSI 技術及電路研討會（2019 Symposia on VLSI Technology & Circuits），提出新型態 SoIC（System on Integrated Chips）3D 封裝技術論文；透過微縮凸塊（Bumping）密度，提升 CPU / GPU 處理器與記憶體間整體運算速度。整體而言，期望藉由 SoIC 封裝技術持續延伸，並當作台積電於 InFO（Integrated Fan-out）、CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）後端先進封裝之全新解決方案。
運用垂直疊合與微縮體積方法，3D 封裝成功提升 HPC 工作效率
由於半導體發展技術的突破、元件尺寸逐漸微縮之際，驅使 HPC 晶片封裝發展必須考量封裝所需體積與晶片效能的提升，因此對 HPC 晶片封裝技術的未來發展趨勢，除了現有的扇出型晶圓級封裝（FOWLP）與 2.5D 封裝，將朝技術難度更高的 3D 封裝技術為開發目標。
所謂 3D 封裝技術，主要為求再次提升 AI 之 HPC 晶片的運算速度及能力，試圖將 HBM 高頻寬記憶體與 CPU / GPU / FPGA / NPU 處理器彼此整合，並藉由高端 TSV（矽穿孔）技術，同時將兩者垂直疊合在一起，減小彼此的傳輸路徑、加速處理與運算速度，提高整體 HPC 晶片的工作效率。
台積電與英特爾積極推出 3D 封裝，將引領代工封測廠一併跟進
依現行 3D 封裝技術，由於必須垂直疊合 HPC 晶片內的處理器及記憶體，因此就開發成本而言，比其他兩者封裝技術（FOWLP、2.5D 封裝）高出許多，製程難度也更複雜、成品良率較低。目前 3D 封裝技術已對外公告的最新成果，現階段除半導體代工製造龍頭台積電最積極，已宣布預計於 2020 年導入量產 SoIC 和 WoW（Wafer on Wafer）等 3D 封裝技術外，另有 IDM 大廠英特爾也提出 Foveros 之 3D 封裝概念，將於 2019 下半年迎戰後續處理器與 HPC 晶片的封裝市場。
隨著半導體代工製造商與 IDM 廠陸續針對 3D 封裝技術投入研發資源，也將引領另一波 3D 封測技術風潮，相信代工封測廠（如日月光、Amkor 等）也將加緊腳步，跟上此波 3D 封裝技術的發展趨勢。
資料來源: Technews
晶化科技 晶圓背面保護膜
#先進封裝
#晶圓級封裝
#晶圓背面保護膜
#晶化科技
#InFO
#FOWLP
#CoWoS
#晶化科技
為什麼先進封裝技術受到關注？
為什麼先進封裝技術受到關注？
2020-04-24
為什麼先進封裝技術受到關注？
每一次科技的進步，都少不了晶片支撐。更準確的說，是晶片的多核設計以及半導體工藝的進步，讓晶片在1986年後性能不斷提升同時功耗不斷降低。但2015年之後，晶片性能的提升越來越難，關於摩爾定律放緩的討論也越來越多。而以數據為中心的時代正在到來，數據中心和AI對晶片的要求越來越高。
在很長一段時間內，晶片性能的提升和功耗的降低在很大程度上得益於工藝製成的進步，然而，從16nm到7nm，晶片製造的成本在大幅提高。但以數據中心和AI為代表的應用對晶片算力、功耗、內存帶寬都有更高的要求，無論是哪種類型的晶片，實現每瓦更高性能以及更低成本都至關重要。
巨大的需求刺激業界尋求解決方案，2011年，晶圓代工廠台積電毫無預兆的宣布要進軍封裝領域，其封裝技術涵蓋2D和3D，既有面向手機的，也有面向AI、伺服器和網絡。台積電是繼續投入先進位造工藝的同時進軍先進封裝技術。另一大晶圓代工廠格羅方德（GF）則在去年突然宣布停止7nm工藝所有的後續工作，不過他們也看到了先進封裝技術未來將發揮的作用。
晶片的封裝是在晶片生產中不可缺少一道工序，作為處理器和主板之間的物理接口，封裝為晶片和電信號和電源提供了著陸區，當然也起到固定、密封、保護晶片等作用。過去，為了能夠提升晶片性能並縮小晶片的體積，需要藉助先進的半導體製程，把更多的功能集成封裝到一塊晶片上，形成SoC。但隨著晶片功能的增加和體積的增大，晶片設計、測試以及製造的難度陡然增加，這不僅增加了成本還會拖累產品的上市速度。
晶化科技以半導體晶圓級封裝膜材的研發、製造、銷售為主要業務，於2016年進駐新竹科學園區竹南基地。主要產品: 晶圓背面保護膜，應用於晶圓級封裝。
晶化科技以半導體晶圓級封裝膜材的研發、製造、銷售為主要業務，於2016年進駐新竹科學園區竹南基地。主要產品: 晶圓背面保護膜，應用於晶圓級封裝。
#晶圓級封裝
#先進封裝
#半導體
#晶化科技
二氧化矽的應用
二氧化矽的應用
2020-04-24
二氧化矽的應用
二氧化矽是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光導纖維、電子工業的重要部件、光學儀器、工藝品和耐火材料的原料，是科學研究的重要材料。
當二氧化矽結晶完美時就是水晶；二氧化矽膠化脫水後就是瑪瑙；二氧化矽含水的膠體凝固後就成為蛋白石；二氧化矽晶粒小於幾微米時，就組成玉髓、燧石、次生石英岩。
物理性質和化學性質均十分穩定的礦產資源，晶體屬三方晶系的氧化物礦物，即低溫石英（a-石英），是石英族礦物中分布最廣的一個礦物種。廣義的石英還包括高溫石英（b-石英）。石英塊又名矽石，主要是生產石英砂(又稱矽砂)的原料，也是石英耐火材料和燒制矽鐵的原料。
冶金
矽金屬、矽鐵合金和矽鋁合金等的原料或添加劑、熔劑。
矽金屬、矽鐵合金和矽鋁合金等的原料或添加劑、熔劑。
建築
混凝土、膠凝材料、築路材料、人造大理石、水泥物理性能檢驗材料（即水泥標准砂）等。
混凝土、膠凝材料、築路材料、人造大理石、水泥物理性能檢驗材料（即水泥標准砂）等。
化工
矽化合物和水玻璃等的原料，硫酸塔的填充物，無定形二氧化矽可作為吸附劑來使用。
矽化合物和水玻璃等的原料，硫酸塔的填充物，無定形二氧化矽可作為吸附劑來使用。
機械
鑄造型砂的主要原料，研磨材料（噴砂、硬研磨紙、砂紙、砂布等）。.
鑄造型砂的主要原料，研磨材料（噴砂、硬研磨紙、砂紙、砂布等）。.
電子
高純度金屬矽、通訊用光纖等。
高純度金屬矽、通訊用光纖等。
在微電子中, SiO 2 薄膜因其優越的電絕緣性和工藝的可行性而被廣泛采用。在半導體器件中, 利用SiO 2 禁帶寬度可變的特性, 可作為非晶矽太陽電池的薄膜光吸收層, 以提高光吸收效率; 還可作為金屬2氮化物2氧化物2半導體(MN SO ) 存儲器件中的電荷存儲層, 集成電路中CMOS 器件和SiGeMOS 器件以及薄膜晶體管(TFT ) 中的柵介質層等。此外, 隨著大規模集成電路器件集成度的提高, 多層布線技術變得愈加重要, 如器件的中間介質層將增加到4～ 5 層, 這就要求減小介質層帶來的寄生電容。鑒於此, 現在很多研究者都對低介電常數介質膜的種類、制備方法和性能進行了深入研究。
對新型低介電常數介質材料的要求是: 在電性能方面具有低損耗和低耗電; 在機械性能方面具有高附著力和高硬度; 在化學性能方面要求耐腐蝕和低吸水性; 在熱性能方面有高穩定性和低收縮性。目前普遍采用的制備介質層的SiO 2, 其介電常數約為4. 0, 並具有良好的機械性能。如用於矽大功率雙極晶體管管芯平面和臺面鈍化, 提高或保持了管芯的擊穿電壓, 並提高了晶體管的穩定性。這種技術, 完全達到了保護鈍化器件的目的, 使得器件的性能穩定、可靠, 減少了外界對芯片沾汙, 提高了器件的可靠性能。
橡膠、塑料
在橡膠中添加二氧化矽，可提高橡膠的耐磨度。
在橡膠中添加二氧化矽，可提高橡膠的耐磨度。
可降低輪胎滾動阻力的同時可改善輪胎的耐磨性和抗濕滑性。
使用二氧化矽的膠料拉伸強度、撕裂強度、耐磨性等均有提高。
使用二氧化矽的膠料拉伸強度、撕裂強度、耐磨性等均有提高。
塗料
填料（可提高塗料的耐候性）、可用來生產消光劑，亦可以作為塗料增稠劑。
填料（可提高塗料的耐候性）、可用來生產消光劑，亦可以作為塗料增稠劑。
食品、藥品
在食品工業中主要用於防止粉狀食品聚集結塊，以保持自由流動的一類食品添加劑或用於吸附液態的香料、油脂、維生素等，使之成為粉末狀，如粉末油脂、固體香料和固體酒之類制品。（例：奶粉）在藥品生產中可作為助流劑、催化劑載體等。
在食品工業中主要用於防止粉狀食品聚集結塊，以保持自由流動的一類食品添加劑或用於吸附液態的香料、油脂、維生素等，使之成為粉末狀，如粉末油脂、固體香料和固體酒之類制品。（例：奶粉）在藥品生產中可作為助流劑、催化劑載體等。
品化科技販售二氧化矽微粉 (SiO2)，可應用於
1) 半導體封裝材料
TO,SOT / DIP,TSOP / QFP,QPN / BGA,CSP / MUF,FO-WLP / UF
2) 電子電器材料
灌封； 電子電氣膠黏劑應用；覆銅板應用
3) 工業應用
包封料,工業工程用灌封膠應用
了解球形二氧化矽在覆銅板中的應用
了解球形二氧化矽在覆銅板中的應用
2020-04-24
了解球形二氧化矽在覆銅板中的應用
二氧化矽在降低覆銅板熱膨脹係數、提高基板模量及耐熱性等方面有著不可替代的作用。二氧化矽的高填充可以降低成本、提高熱導率、降低熱膨脹係數、增加強度，但是隨著填充量的增多，體系粘度會急劇增加，材料的流動性、滲透性變差，二氧化矽在樹脂中的分散困難，易出現團聚的問題。如何進一步提高二氧化矽在材料中的填充量，是覆銅板行業研究的重要課題。
在環氧塑封料行業，角形二氧化矽填充量一般低於總量的70%（重量比），採用球形二氧化矽後，填充量最高可達94%；在覆銅板行業，角形二氧化矽填充量一般低於總量的40%，採用球形二氧化矽後，填充量最高可達60%。因此儘管球形二氧化矽價格較高，由於其特有的優異性能，球形二氧化矽越來越被覆銅板行業所青睞。
隨著大規模集成電路技術的發展，覆銅板性能要求也不斷地再進行改進與提高，當前覆銅板的技術發展包括高耐熱、低應力、低膨脹。球形二氧化矽由於填充量高、流動性好、熱膨脹係數小、應力小、介電性能優異等特點，順應了覆銅板技術發展趨勢，球形二氧化矽在覆銅板中的應用前景看好。
據統計，目前環氧模塑料和覆銅板用球形二氧化矽全球年需求量超過10萬噸，其中覆銅板用球形二氧化矽約占1萬噸。隨著國內球形二氧化矽生產技術水平的不斷提升，產品價格的進一步降低，球形二氧化矽在覆銅板中應用有望進一步擴大，從而帶動覆銅板性能和技術的提升。
品化科技販售二氧化矽微粉 (SiO2)，可應用於1) 半導體封裝材料2) 電子電器材料3) 工業應用
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氮化鋁陶瓷基板的應用
氮化鋁陶瓷基板的應用
2020-04-25
氮化鋁陶瓷基板的應用
無論在5G領域還是半導體，亦或是大功率模組等領域，氮化鋁陶瓷基板的應用越發受到市場的親睞。氮化鋁陶瓷基板相當於氧化鋁陶瓷基板有更好的導熱性和機械性能，因此在價格方面有要比氧化鋁陶瓷基板或者普通PCB板要貴一些。
陶瓷基板中氧化鋁陶瓷基板和氮化鋁陶瓷基板是目前市面上需求較大的陶瓷基板，氧化鋁陶瓷基板的導熱一般在30~50W，氮化鋁陶瓷基板則可以去到190W甚至更高。
氮化鋁陶瓷基板在半導體相關應用:
半導體方面積體電路、消費電子、通信系統、太陽能發電、照明應用、大功率電源轉換等領域都需要較好的散熱功能，普通FR4玻纖板導熱很低，容易導致線路板短路等問題。氮化鋁陶瓷基板較好導熱性能和電器性能能解決應用產品出現散熱不足的問題。
品化科技販售日本品牌氮化鋁陶瓷基板，並提供基板切割、拋光、清洗、刻字、包裝 、導角等代工服務。
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氮化鋁陶瓷基板在IGBT中的重要作用
氮化鋁陶瓷基板在IGBT中的重要作用
2020-04-25
氮化鋁陶瓷基板在IGBT中的重要作用
IGBT陶瓷基板在現代電子技術行業已經廣泛應用了，主要是因為IGBT模組優異的電器性能。其中氮化鋁陶瓷基板起著非常重要的作用。
IGBT範本陶瓷電路板在哪裡行業應用廣泛呢？
IGBT模組是由IGBT（絕緣柵雙極型電晶體晶片）與FWD（續流二極體晶片）通過特定的電路橋接封裝而成的模組化半導體產品；封裝後的IGBT模組直接應用於變頻器、UPS不斷電供應系統等設備上；IGBT模組具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點；當前市場上銷售的多為此類別模組化產品，一般所說的IGBT也指IGBT模組；隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見；IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智慧電網、航空航太、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。
氮化鋁陶瓷基板在IGBT陶瓷基板中的重要作用
氮化鋁陶瓷基板在電力電子模組技術中，主要是作為各種晶片(IGBT晶片、Diode晶片、電阻、SiC晶片等)的承載體，陶瓷基板通過表面覆銅層完成晶片部分連接極或者連接面的連接，功能近似於PCB板。氮化鋁陶瓷基板具有絕緣性能好、散熱性能好、熱阻係數低、膨脹係數匹配、機械性能優、焊接性能佳的顯著特點。
使用氮化鋁陶瓷基板作為晶片的承載體，可以將晶片與模組散熱底板隔離開，基板中間的AlN陶瓷層可有效提高模組的絕緣能力(陶瓷層絕緣耐壓>2.5KV)。而且氮化鋁陶瓷基板具有良好的導熱性，熱導率可以達到170-260W/mK。IGBT模組在運行過程中，在晶片的表面會產生大量的熱量，這些熱量會通過陶瓷基板傳輸到模組散熱底板上，再通過底板上的導熱矽脂傳導於散熱器上，完成模組的整體散熱流動。同時，氮化鋁陶瓷基板膨脹係數同矽(晶片主要材質為矽)相近(7.1ppm/K)，不會造成對晶片的應力損傷，氮化鋁陶瓷基板抗剝力>20N/mm2,具有優秀的機械性能，耐腐蝕，不易發生形變，可以在較寬溫度範圍內使用。並且焊接性能良好，焊接空洞率小於5%，正是由於氮化鋁陶瓷基板的各種優良性能，所以被廣泛應用於各型IGBT模組中，採用氮化鋁陶瓷基板的IGBT模組具有更好的熱疲勞穩定性和更高的集成度。
品化科技販售日本品牌氮化鋁陶瓷基板，並提供基板切割、拋光、清洗、刻字、包裝 、導角等代工服務。
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陶瓷基板分類
陶瓷基板分類
2020-04-27
陶瓷基板分類
陶瓷基板依其材料可以分成：
氧化鋁基板:
燒成溫度1550～1600℃，主要採用厚膜法及共燒法，混合積體電路用基板、LSI封裝用基板、多層電路基板；
氮化鋁基板：
碳化矽基板：
氧化鈹基板（BeO）：
其導熱率是Al2O3的十幾倍，適用於大功率電路，而且其介電常數又低，可用於高頻電路。BeO基板基本上採用幹壓法制作。
一般而言，目前應用在LED陶瓷基板的材料是以氧化鋁陶瓷基板為主，而全球氧化鋁陶瓷基板產業屬於寡佔市場，全球主要基板供應商以日本廠商為主，是市佔率在8成以上。
品化科技販售日本&中國品牌的氮化鋁陶瓷基板，並提供基板切割、拋光、清洗、刻字、包裝 、導角等代工服務。
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